Характеристики:
Ядро: TU106
Количество транзисторов, млн. шт. 10800
Техпроцесс, нм12
Площадь ядра, кв. мм 445
Количество потоковых процессоров 2176
Количество текстурных блоков 136
Количество блоков рендеринга 64
Базовая частота ядра, МГц 1470
Частота Boost, МГц 1680
Шина памяти, бит 256
Тип памяти GDDR6
Частота памяти, МГц 14000
Объём памяти, ГБ 8
Интерфейс PCI-E 3.0
Мощность, Вт 175